一、anti-bloomimg功能埃科光电的线阵新产品有高信噪比和anti-bloomimg功能了解一下二、溢出现象Blooming的产生原因参考文章路径https://andor.oxinst.com/learning/view/article/ccd-blooming-and-anti-blooming当单个像素内的电荷超过饱和电平电荷开始流入相邻像素时就会发生溢出现象。CCD传感器的设计通常便于电荷沿垂直方向转移同时设置势垒抑制电荷向水平方向扩散。因此溢出的电荷会优先流向垂直方向的邻近像素最终形成典型的垂直拖尾条纹。2.1 现象当画面中存在强光点灯泡、太阳、激光、反光亮点时感光像素电荷会饱和多余电荷会向外溢流扩散到相邻像素造成亮点垂直拖尾、竖线强光区域发白扩大、光晕掩盖周围细节Anti‑Blooming 就是抑制电荷溢流防止强光 “漫出来污染邻近像素”。2.2 图像传感器图像传感器应对bloom现象时有以下类型CCD 传感器部分CCD 有抗溢漏结构抗光晕能力很强缺点是降低量子效率CMOS 传感器大部分 CMOS 抗 blooming 能力弱成本低于是部分工业 CMOS 设计了专门的抗溢漏电路来应对blooming。2.3 抗溢漏电路电路设计部分传感器内置专门的抗溢出结构用于抑制溢出现象。抗溢出结构会在电荷溢出像素之前将多余电荷泄放掉以此消除溢出效应。但抗溢出结构会降低传感器的有效量子效率还会引入信号非线性。因此对于弱光探测、高精度测量类应用不建议选用带抗溢出功能的传感器。2.4 多帧短曝光求和为了避免电荷溢出还可以采用多次短曝光结果累加求和等效总曝光时长为单次曝光时长乘以累加次数。缺点是单次曝光下的本底噪声也会乘累加次数相比长曝光相当于放大了本底噪声。如果每一次短曝光的信号都控制在接近饱和但未饱和的水平累加之后信号的动态范围也会随累加次数同步提升。三、 应用场景需要拍强光场景焊接电弧、太阳、车灯、激光光斑打开 Anti‑Blooming❇️暗光、弱光测量场景尽量关闭获得更大满阱、更高动态范围。区分概念Blooming溢漏 / 光晕拖尾传感器电荷溢出靠 anti‑blooming 电路解决Lens flare镜头眩光镜片反射杂光只能靠遮光罩、镀膜镜头改善软件 / 传感器功能消不掉。我的个人博客主页欢迎访问我的CSDN主页欢迎访问我的GitHub主页欢迎访问我的知乎主页欢迎访问