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Toshiba推出具备高浪涌电流能力的3300V SiC MOSFET模块,助力提升工业设备可靠性

发布时间:2026/9/30 4:55:29来源:尧图网络
Toshiba推出具备高浪涌电流能力的3300V SiC MOSFET模块,助力提升工业设备可靠性
Toshiba Electronic Devices Storage Corporation (“Toshiba”)扩展了其产品阵容推出适用于铁路车辆、可再生能源发电系统以及电力转换系统等工业设备的双SiC MOSFET模块——“IX800FXF2YMS4”。该新型模块采用Toshiba第三代碳化硅(SiC) MOSFET芯片漏源电压额定值为3300V直流(DC)漏极电流额定值为800A。其规格中明确了二极管部分的I2t限值该值是衡量浪涌电流能力的指标。包括铁路牵引逆变器和变流器、可再生能源发电系统以及工业电机控制设备在内的工业设备制造商必须不断满足对更高效率、更小体积和更高可靠性的日益增长的需求。在这些系统中必须通过足够的浪涌电流承受能力来应对异常条件下可能流经功率半导体模块的大浪涌电流。IX800FXF2YMS4采用了优化的SiC芯片设计其I2t特性达到300kA2s[1]该特性是衡量二极管部分在异常条件下浪涌电流能力的指标。该模块的漏源导通电压检测端(VDS(on)sense)为1.4V典型值[2]有助于降低导通损耗。其开通开关损耗(Eon)为185mJ典型值[3]关断开关损耗(Eoff)为175mJ典型值[3]有助于降低开关损耗。这些特性有助于提高设备的可靠性和效率并缩小冷却系统的体积。新产品采用了具备出色安装兼容性的iXPLV™封装[4]。它使用银烧结键合技术提高了与SiC芯片键合部分的耐热性和可靠性实现了工业设备所需的175°C沟道温度额定值。这一Toshiba产品阵容的新成员使iXPLV™封装的SiC MOSFET模块数量达到四款从而拓宽了可用产品的选择范围。Toshiba将继续扩展其面向工业设备的SiC MOSFET模块产品线并提供更广泛的产品选择以满足多样化的设备规格和应用需求。公司还将致力于打造更可靠、更高效、更紧凑的工业设备。注[1] 测试条件 Tch(initial)175°CVGS-6V半正弦波10ms 1脉冲F.R.1%[2] 测试条件ID800A, VGS20V, Tch25°C[3] 测试条件VDD1800V, ID800A, VGS20V/-6V, Cgs100nF, RG(on)1.2Ω, RG(off)1.2Ω, Tch175°C, LS≃70nH[4] iXPLVTMintelligent fleXible Package Low Voltage智能柔性低压封装的缩写应用场景工业设备铁路牵引逆变器和变流器可再生能源发电系统电力转换系统固态变压器(SST)[5]不间断电源(UPS)储能系统(ESS)等工业电机控制设备等注[5] SST一种利用功率半导体实现紧凑尺寸、高效电压转换和先进电力控制的下一代变压器。产品特性明确I2t限值二极管额定值I2t300kA2s低漏源导通电压检测端VDS(on)sense1.4V典型值低开关损耗Eon185mJ典型值Eoff175mJ典型值沟道温度额定值Tch175°C采用iXPLVTM封装。主要规格除非另有说明否则Tc25°C部件编号IX800FXF2YMS4封装名称iXPLV™尺寸(mm)典型值144×99.5×40绝对最大额定值漏源电压VDSS (V)3300栅源电压VGSS (V)25/-10漏极电流直流ID (A)800漏极电流脉冲IDP (A)1600沟道温度Tch (°C)175隔离电压V isol(Vrms)AC, 60s6000I2t限值二极管I2t(kA2s)Tch(initial)175°C, VGS-6V,半正弦波10ms 1脉冲F.R.1%300电气特性漏源导通电压检测端VDS(on)sense (V)ID800A, VGS20V,Tch25°C典型值1.4源漏导通电压检测端VSD(on)sense (V)IS800A, VGS20V,Tch25°C典型值1.4源漏关断电压检测端VSD(off)sense (V)IS800A, VGS-6V,Tch25°C典型值2.2杂散电感LsPN (nH)P端子-N端子典型值12开通开关损耗Eon (mJ)VDD1800V, ID800A,VGS20V/-6V,Cgs100nF, RG(on)1.2Ω,RG(off)1.2Ω, Tch175°C,LS≃70nH典型值185关断开关损耗Eoff (mJ)典型值175请点击以下链接了解有关新产品的更多信息。IX800FXF2YMS4请点击以下链接了解有关Toshiba SiC功率器件产品线的更多信息。SiC功率器件* iXPLV™是Toshiba Electronic Devices Storage Corporation的商标。* 其他公司名称、产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。* 本文档中的信息包括产品价格和规格、服务内容和联系方式为公告发布之日的最新信息但如有更改恕不另行通知。关于Toshiba Electronic Devices Storage CorporationToshiba Electronic Devices Storage Corporation是先进半导体和存储解决方案的领先供应商凭借半个多世纪的经验和创新为客户和业务合作伙伴提供卓越的分立半导体、系统LSI和HDD产品。公司在全球的17,400名员工致力于最大限度提高产品价值并促进与客户的密切合作共同创造价值和开拓新市场。公司期待为世界各地的人们建设更美好的未来并做出贡献。ToshibaIX800FXF2YMS4一款面向工业设备的3300V、800A双SiC MOSFET模块具备300kA²s I²t能力。
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