串行SPI MRAM在绝大多数设计里从来不是存东西的地方而是那个必须在掉电瞬间保住数据、而且根本来不及做擦除的位置。SPI NOR Flash在部分场景能顶但写前必须擦毫秒级掉电窗口内经常写不完擦写寿命在10的五次方量级频繁记录必须上磨损均衡加ECC软件复杂度直接上一个台阶。EEPROM在低容量简易场景可行但写周期5到10毫秒耐久性10的六次方量级同样扛不住高频记录。FRAM/FeRAM读写无延迟中低容量可以用但容量密度上不去、供应链高度集中高温数据保持是需要重点评估的一项。SRAM加电池、或者nvSRAM加超级电容功能上没问题代价是多一颗电源管理IC、多一颗电池或电容占板面积大还有电池寿命到了之后的整机维护成本。BBSRAM模块体积大、成本高含电池还要背运输与回收的合规负担。MRAM的全称是Magnetoresistive RAM磁阻随机存取存储器。它用电子自旋的磁化方向来存储比特而不是像Flash那样靠浮栅里困住的电荷。这个物理机理的差异直接换来了四个Flash和EEPROM无法同时给出的特征1、非易失。串行SPI MRAM掉电即保持不需要电池也不需要超级电容。这意味着后备电源电路可以整体删掉省BOM、省面积、免维护。2、写入无延迟。不需要擦除写入即刻生效。串行SPI MRAM掉电前的最后一刻母线电容上还剩一点余量计量值、故障码、累计数据必须在这几毫秒里写进去Flash做不到MRAM做得到。3、近乎无限的耐久性。以NETSOL的串行系列为例标称写耐久10的14次方次读无限制。工程上完全不需要做磨损均衡算法也不需要外挂ECC。4、长周期数据保持。十年以上85℃足以覆盖工业设备十到二十年的生命周期要求。