关于你的问题答案是是的VOH 应在 VDD 最大时测VOL 应在 VDD 最小时测这是标准的工程做法。其根本原因是为了验证芯片输出驱动能力在最差情况下的表现。 VOH/VOL 测试的电压条件VOH 在 VDD max 下测试VOH 是输出高电平的最小保证值。当电源电压 VDD 最高时输出晶体管的上拉能力最强但此时输出高电平也最高最容易超出下游器件对高电平的接收上限。因此在 VDD max 条件下测试 VOH是为了确保在最不利的情况下输出高电平仍能满足要求。VOL 在 VDD min 下测试VOL 是输出低电平的最大允许值。当电源电压 VDD 最低时输出晶体管的下拉能力最弱此时输出低电平也最高最容易超出下游器件对低电平的接收上限。因此在 VDD min 条件下测试 VOL是为了确保在最不利的情况下输出低电平仍能被正确识别。许多芯片数据手册也明确要求在电源电压范围的两端进行测试例如在 VDD4.5V (min) 和 5.5V (max) 时分别验证 VOL 和 VOH。⚠️ 注意事项电源顺序改变 VDD 电压时如果 VDDK 等核心电压有上电顺序要求需确保电压变化的时序正确。测试限值在 VDD max/min 条件下VOH/VOL 的测量限值limit_spec_min/max可能需要相应调整因为它们会随 VDD 变化。电流能力确保 MLDPS 的电流量程如500mA足以支持芯片在拉偏电压下的工作电流。多电源域如果芯片有多个 IO 电源域如 VDD33、VDD18需要分别对它们进行拉偏测试。 总结测试项推荐 VDD 条件原因VOHVDD max验证输出高电平在最不利情况下仍能满足要求VOLVDD min验证输出低电平在最不利情况下仍能满足要求通过在VOH_TEST()和VOL_TEST()函数中分别使用VDD33_MAX和VDD33_MIN调用FORCE_V_MLDPS即可在 Chroma 测试程序中实现电压拉偏测试。如果拉偏每次都测试VOH/VOL且覆盖到Vmax和Vmin也可以直接VOH/VOL都跟着拉偏电压走limit设置不一样就行。